英国研究与创新（UKRI）机构正在支持复合半导体中心有限公司（CSC，一家由加的夫大学和英国威尔士加的夫EPIWaferFoundry和基板制造商IQEplc于年成立的合资企业）和新港晶圆厂（NWF，英国mm化合物半导体晶圆制造厂）开发一种mm晶圆直径的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）制造工艺。该项目是CSC和NWF的合作项目，旨在在mm晶圆平台上提供一种制造级VGaN-on-Silicon-HEMT工艺。
HEMT制造工艺技术将利用纽波特晶圆厂30年的硅基功率器件制造传统，在汽车（IATF）质量认证批量制造环境下开发。
外延解决方案将利用CSC与母公司IQE在其卡迪夫工厂的大批量AixtronG5mm制造平台上合作开发的IP。CSC最近通过了全面的ISO认证，其内部质量管理体系涵盖了从开发到量产的全过程。该项目由UKRI在“汽车转型基金：推动英国汽车行业实现零排放”下提供支持。
“这是朝着NWFs成为硅基化合物产品主要制造商的愿景迈出的令人兴奋的一步，”NWFs对外事务主管SamEvans说。他补充道：“我们计划将目前每周片晶圆的生产规模扩大到片，我们认为宽带隙功率器件市场是一个很好的解决方案，鉴于我们在高功率硅MOSFET、IGBT和GaN器件开发制造方面的传统，这对我们来说是一个自然的机会。”。
CSC的GaN项目经理RobHarper说：“预计到年，GaN功率市场将达到7亿美元，电动汽车（EV）的采用将带来巨大的未来增长机会，我们正与全球功率半导体蓝筹股合作，帮助引导这一进程路线图。我们最初的目标是电动汽车细分市场，包括牵引逆变器；随着项目的进展，我们希望推出定制的代工产品，以解决其他细分市场，包括移动/笔记本电脑快速充电器和储能逆变器，”他补充道。
CSC主管WynMeredith评论道：“这是一个很好的例子，说明南威尔士半导体生态系统中的两个合作伙伴利用各自的技术和制造优势，为全球半导体行业提供先进的下一代制造服务。”。
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